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变频器工作原理,变频器逆变原理-KIA MOS管
变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转换为频率和电压可调的交流电。www.kiaic.com/article/detail/5793.html 2025-07-16
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充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管
KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...www.kiaic.com/article/detail/5792.html 2025-07-15
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反激电源拓扑,反激拓扑结构原理-KIA MOS管
升降压电路由电感周期性的充能和放能过程维持均匀的电压输出，且输出电压与输入电压极性相反。将升降压电路中的电感替换成互相耦合的电感N1和N2（也就是变压器）就是反激拓扑。www.kiaic.com/article/detail/5791.html 2025-07-15
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电源管理详解,电源管理芯片工作原理-KIA MOS管
电源管理芯片广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子及新能源等领域。电压调节：如LDO（低压差稳压器），用于将输入电压转换为稳定的输出电压。DC-DC：包括升压(Boost)、降压(Buck)和升降压(Boost-Buck)，用于调整电压以适应不同负载的需求。www.kiaic.com/article/detail/5790.html 2025-07-15
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47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管
47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源...www.kiaic.com/article/detail/5789.html 2025-07-14
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电解电容符号,原理,作用详解-KIA MOS管
电解电容是电容的一种，通常为由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成。电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。www.kiaic.com/article/detail/5788.html 2025-07-14
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电容的容值,容值的单位换算-KIA MOS管
电容器的容值是电容器存储电荷的能力，单位是法拉（F）。实际常用单位包括微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。www.kiaic.com/article/detail/5787.html 2025-07-14
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KLX80R240B
KLX80R240Bwww.kiaic.com/product/detail/474.html 2025-07-11
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KLX60R065B
KLX60R065Bwww.kiaic.com/product/detail/471.html 2025-07-11
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KLX60R090B
KLX60R090Bwww.kiaic.com/product/detail/470.html 2025-07-11
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KLX60R170B
KLX60R170Bwww.kiaic.com/product/detail/468.html 2025-07-11
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KLX60R135BD
KLX60R135BDwww.kiaic.com/product/detail/469.html 2025-07-11
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KLX60R180BD
KLX60R180BDwww.kiaic.com/product/detail/467.html 2025-07-11
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KLX60R280B
KLX60R280Bwww.kiaic.com/product/detail/466.html 2025-07-11